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81.
报道了在钝化界面进行低能等离子体植氢优化的n+-on-p碲镉汞(HgCdTe)中波(MW,mid-wavelength)光伏红外探测芯片的研究成果.基于由采用分子束外延技术生长的HgCdTe薄膜材料,通过注入阻挡层的生长、注入窗口的光刻、形成光电二极管的B+注入、钝化介质膜的生长、优化钝化界面的等离子体植氢、金属化和铟...  相似文献   
82.
基于IIC总线的数字式电位计设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了实现模拟电路中电阻、电压或电流的数字控制调整的目的,通过使用PIC16F877A和AD5161实现一种电阻式数模转换电路设计.利用IIC总线对AD5161进行通信及设置,通过实测AD5161输出电阻值得到其工作特性,经误差处理和状态分析提高了电路线性度.验证该设计适用于工作电压小于AD5161供电电压的数字电阻输出...  相似文献   
83.
实时递推的最小二乘预测跟踪算法   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对探测系统跟踪误差对目标跟踪的影响,提出一种实时递推的最小二乘预测跟踪算法.该算法采用平方预测器的估算方式,获得目标运动轨迹的最佳逼近,通过不断更新的历史数据实时递推轨迹参数,预测下一帧目标位置.该算法采用Matlab软件编写易于工程实现的应用程序.得到仿真的目标真实轨迹与预测轨迹数据.仿真结果表明,该算法可以在系统...  相似文献   
84.
基于热力学第一定律,分析了双级斯特林制冷机两级之间冷量分配的关系式,以及冷量与压缩机功耗之间的关系.通过商业计算软件,对制冷机内部能量流进行模拟计算,结合实例定量给出制冷机各部分的损失.  相似文献   
85.
肖平 《红外》2011,32(4):23-27
利用空间位置测量系统对因遥感平台不稳定而引起的影像畸变进行校正是目前航空摄影测量常用的方法.介绍了对推帚成像模式在无地面控制点情况下采集的影像进行几何校正的原理和方法,即利用POS数据解算外方位元素并建立共线方程,从而实现影像的几何校正.用PHI航空遥感影像进行了实验.实验表明,在无地面控制点的情况下,利用POS数据辅...  相似文献   
86.
李欣耀 《红外》2011,32(1):31-34
根据红外系统中的不同杂散辐射源,分析了杂散辐射的内因和外因.列举了从机械面和光学面上抑制红外杂散辐射的具体措施,提出了选择红外涂层的方法.对一台空间红外仪器设置了里奥光阑,并通过地面试验和在轨测试评价了其抑制红外杂散辐射的有效性.  相似文献   
87.
姬弘桢  邹娟娟  崔宝双 《红外》2011,32(7):9-16
提出了一种新的薄膜厚度测量方法.该方法以镀有一层厚度足以引起干涉的过渡层为衬底,通过测量镀膜前后透(反)射谱的变化,即可实现薄膜厚度的精确测量.由于过渡层的厚度已经引起干涉,新镀上去的待测薄膜即使很薄,也会引起干涉的变化.通过镀制待测薄膜前后透(反)射谱干涉的变化,可以很容易地精确测量出待测薄膜的厚度,其测量极限高达1...  相似文献   
88.
姬弘桢  邹娟娟 《红外》2011,32(8):1-7
介绍了一种新的简单有效的薄膜均匀性信息获取方法,该方法基于我们先前提出的纳米薄膜厚度精确测量方法,它通过检测镀制在含有过渡层的衬底上不同位置的薄膜的光谱,并由其干涉峰间的差异获取薄膜的均匀性信息.与传统方法相比,该方法无需直接测量薄膜的厚度,减少了测量膜厚带来的误差和影响,因而可以快速得出薄膜均匀性结论.该方法操作方便...  相似文献   
89.
界面电荷对C-Si表面钝化质量的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
深入分析了影响晶体硅与钝化介质层界面复合的主要因素:界面态密度(Dit)、介质层表面电荷密度、衬底掺杂类型及掺杂浓度.研究发现,随着载流子注入水平改变,介质层的钝化质量与介质层带电类型和硅片掺杂类型紧密相关.随着载流子注入水平的降低,富含正电荷(负电荷)的钝化介质在P型(N型)硅片上的钝化质量随之降低;富含负电荷(正电...  相似文献   
90.
A mechanically robust infrared high-index coating material is essential to the infrared interference coatings. Lead germanium telluride (Pb1−x Ge x Te) is a pseudo-binary alloy of IV–VI narrow gap semiconductors of PbTe and GeTe. In our investigation, the hardness and Young’s modulus of thin films of Pb1−x Ge x Te, which were deposited on silicon substrates using electron beam evaporation, were identified by means of nanoindentation measurement. It is demonstrated that layers of Pb1−x Ge x Te have greater hardness and Young’s modulus compared with those of PbTe. These mechanical behaviors of layers can be linked to a ferroelectric phase transition from a cubic paraelectric phase to a rhombohedral, ferroelectric phase. Moreover, the strength loss in the layers of Pb1−x Ge x Te can be also explained in light of strong localized elastic-strain fields in concentrated solid solutions. In addition, it is observed that layers of Pb1−x Ge x Te are highly transparent and refractive in the mid- and long-wave infrared spectral range (~3–40 μm). A conclusion can be drawn that a mechanically robust infrared high-index layer can be obtained using Pb1−x Ge x Te as starting materials.  相似文献   
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